1. Si、Ge、SOI、GOI、SiC和化合物半导体等衬底材料；
2. 用于集成电路和光电器件制造的高-k/金属栅叠层、Low-k材料、GeSi外延层、GeSn外延层、PCRAM存储材料、RRAM介质材料、STT-MRAM用磁性薄膜等新型薄膜材料；
3. 光刻胶、DSA、各类CVD和ALD前驱体、CMP抛光材料、 工艺化学品、靶材等集成电路制造工艺材料；
4. 新型显示材料；
5. 先进封装材料；
6. 新型二维材料；
7. 碳纳米管，石墨烯等碳基功能材料；
8. 材料检测技术与方法；
9. 材料设计理论与计算模拟。

1. Substrate materials such as Si, Ge, SOI, GOI, SiC and compound semiconductors.
2. High -k, Low-k, GeSi,, GeSn, PCRAM, RRAM, STT-MRAM, and other materials used in Integrated circuits and optoelectronic devices.
3. Photoresist, DSA, CVD and ALD precursor, CMP materials, process chemicals and targets for of integrated circuit fabrication material.
4. New display material.
5. Advanced packaging material.
6. Novel two dimensional material.
7. Carbon nanotubes, graphene and other carbon based functional materials.
8. Materials testing technology and method.
9. Materials design theory and simulation.

赵超            北京超弦存储器研究院
杨德仁        浙江大学

集成电路材料产业技术创新联盟

中国科学院上海微系统与信息技术研究所、北京超弦存储器研究院、上海市电子学会

由大会统一出版，详细信息请点击【论文出版】

宋三年        中国科学院上海微系统与信息技术研究所

13818144065

songsannian@mail.sim.ac.cn