D11-电子材料与微系统
日期:2024年07月09日
地点:广州白云国际会议中心:3号楼-3407(4层)
编号 | 时间 | 类型 | 题目 | 讲者 | 单位 |
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13:30-13:55 | 邀请报告 |
HfO2-based relaxor ferroelectric thin films for energy storage and memristive application |
戴吉岩 | 香港理工大学 | |
13:55-14:20 | 邀请报告 |
氧化铪基铁电薄膜唤醒效应和疲劳失效的微观机理 |
廖 敏 | 湘潭大学 | |
14:20-14:42 | 邀请报告 |
W/Hf0.5Zr0.5O2/W铁电存储器件在-60至250度的读写抗疲劳性能优化 |
袁国亮 | 南京理工大学 | |
14:42-15:02 | 邀请报告 |
铪基铁电薄膜应力温度耦合效应研究 |
洪培真 | 南开大学 | |
15:02-15:15 | 口头报告 |
Hf0.5Zr0.5O2铁电薄膜阻变与多态突触器件制备研究 |
陶瑞强 | 华南师范大学 | |
15:15-15:20 | 闪报 |
Origin of La doping-induced endurance improvement and wake-up effect reduction in ferroelectric HfO2 thin films |
余 涛 | 湘潭大学 |
编号 | 时间 | 类型 | 题目 | 讲者 | 单位 |
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15:30-15:55 | 邀请报告 |
硅兼容的HfO2基铁电隧道结忆阻器 |
殷月伟 | 中国科学技术大学 | |
15:55-16:20 | 邀请报告 |
高密度铁电存储器用HfO2基铁电薄膜的性能调控 |
曾斌建 | 湘潭大学 | |
16:20-16:45 | 邀请报告 |
铁电存储器空间辐射单粒子效应研究 |
钟向丽 | 湘潭大学 | |
16:45-17:09 | 邀请报告 |
铁电薄膜多步极化翻转动力学及FeRAM兼容的多态存储架构 |
陈伟津 | 中山大学 | |
17:09-17:29 | 邀请报告 |
通过施主-受主共掺杂提高铪基铁电超薄膜的极化转换特性 |
周 超 | 哈尔滨工业大学(深圳) | |
17:29-17:34 | 闪报 |
引入介电层改善CMOS后端兼容的Hf0.5Zr0.5O2薄膜的铁电性能 |
琚长凡 | 湘潭大学材料科学与工程学院 |
编号 | 时间 | 类型 | 题目 | 讲者 | 单位 |
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D11-P01 | 17:34-17:35 | 墙报 |
基于二硫化钼纳米片的微针精确给药自动控制装置设计 |
张宇森 | 金陵科技学院 |
D11-P02 | 17:35-17:36 | 墙报 |
基于PbZrO3/Ca3Mn2O7异质结正负可调的室温大电卡效应 |
赵文悦 | 哈尔滨工业大学 |
D11-P03 | 17:36-17:37 | 墙报 |
SnSe2和SnSe双靶共溅射制备高性能SnSe薄膜及其性能研究 |
李文霞 | 中国科学院金属研究所 |
D11-P04 | 17:37-17:38 | 墙报 |
NbOx基忆阻器阈值转变及锁相行为调控 |
卢子傲 | 清华大学 |
D11-P05 | 17:38-17:39 | 墙报 |
面向BLCC应用的钛酸锶陶瓷晶粒生长调控 |
吕 明 | 华南理工大学 |
17:39-17:40 | 墙报 |
生长温度与厚度对单层PbTiO3薄膜中极性泡状畴的影响 |
冼建标 | 华南师范大学 |