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筛选条件: 2024-07-09 [星期二] 广州白云国际会议中心:3号楼-3407(4层)

日期:2024年07月09日

地点:广州白云国际会议中心:3号楼-3407(4层)

13:30 -15:20 | 铪基铁电薄膜与存储器(1)
编号 时间 类型 题目 讲者 单位
13:30-13:55 邀请报告

HfO2-based relaxor ferroelectric thin films for energy storage and memristive application

戴吉岩 香港理工大学
13:55-14:20 邀请报告

氧化铪基铁电薄膜唤醒效应和疲劳失效的微观机理

廖 敏 湘潭大学
14:20-14:42 邀请报告

W/Hf0.5Zr0.5O2/W铁电存储器件在-60至250度的读写抗疲劳性能优化

袁国亮 南京理工大学
14:42-15:02 邀请报告

铪基铁电薄膜应力温度耦合效应研究

洪培真 南开大学
15:02-15:15 口头报告

Hf0.5Zr0.5O2铁电薄膜阻变与多态突触器件制备研究

陶瑞强 华南师范大学
15:15-15:20 闪报

Origin of La doping-induced endurance improvement and wake-up effect reduction in ferroelectric HfO2 thin films

余 涛 湘潭大学
15:20 -15:30 | 茶歇
15:30 -17:34 | 铪基铁电薄膜与存储器(2)
编号 时间 类型 题目 讲者 单位
15:30-15:55 邀请报告

硅兼容的HfO2基铁电隧道结忆阻器

殷月伟 中国科学技术大学
15:55-16:20 邀请报告

高密度铁电存储器用HfO2基铁电薄膜的性能调控

曾斌建 湘潭大学
16:20-16:45 邀请报告

铁电存储器空间辐射单粒子效应研究

钟向丽 湘潭大学
16:45-17:09 邀请报告

铁电薄膜多步极化翻转动力学及FeRAM兼容的多态存储架构

陈伟津 中山大学
17:09-17:29 邀请报告

通过施主-受主共掺杂提高铪基铁电超薄膜的极化转换特性

周 超 哈尔滨工业大学(深圳)
17:29-17:34 闪报

引入介电层改善CMOS后端兼容的Hf0.5Zr0.5O2薄膜的铁电性能

琚长凡 湘潭大学材料科学与工程学院
17:34 -17:40 | 墙报
编号 时间 类型 题目 讲者 单位
D11-P01 17:34-17:35 墙报

基于二硫化钼纳米片的微针精确给药自动控制装置设计

张宇森 金陵科技学院
D11-P02 17:35-17:36 墙报

基于PbZrO3/Ca3Mn2O7异质结正负可调的室温大电卡效应

赵文悦 哈尔滨工业大学
D11-P03 17:36-17:37 墙报

SnSe2和SnSe双靶共溅射制备高性能SnSe薄膜及其性能研究

李文霞 中国科学院金属研究所
D11-P04 17:37-17:38 墙报

NbOx基忆阻器阈值转变及锁相行为调控

卢子傲 清华大学
D11-P05 17:38-17:39 墙报

面向BLCC应用的钛酸锶陶瓷晶粒生长调控

吕 明 华南理工大学
17:39-17:40 墙报

生长温度与厚度对单层PbTiO3薄膜中极性泡状畴的影响

冼建标 华南师范大学