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2024-07-09 [星期二] 广州白云国际会议中心：3号楼-3406（4层）
D06-先进微电子与光电子材料
日期：2024年07月09日
地点：广州白云国际会议中心：3号楼-3406（4层）
13:30 -13:35
| 开幕词
13:35 -15:15
| 报告
| 编号 | 时间 | 类型 | 题目 | 讲者 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 13:35-14:00 | 邀请报告 |
半导体相变存储器 |
宋志棠 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | |
| 14:00-14:25 | 邀请报告 |
硅基硅锗材料的分子束外延生长 |
张建军 | 中国科学院物理研究所 | |
| 14:25-14:50 | 邀请报告 |
先进围栅器件关键工艺与新结构器件研究 |
张青竹 | 中国科学院微电子研究所 | |
| 14:50-15:15 | 邀请报告 |
硅基半导体量子点量子比特研究 |
李海欧 | 中国科学技术大学 |
15:15 -15:45
| 茶歇
15:45 -17:40
| 报告
| 编号 | 时间 | 类型 | 题目 | 讲者 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 15:45-16:10 | 邀请报告 |
硅基原子掺杂体系的自旋量子比特调控 |
贺 煜 | 南方科技大学 | |
| 16:10-16:25 | 口头报告 |
A Foundation for Fully Electrically Controlled and Microwave-Coupled Quantum Bits : Ultrashallow, Heavily Strained Quantum Wells |
张毅文 | 中国科学院微电子研究所 | |
| 16:25-16:40 | 口头报告 |
Effect of Ge content in poly SiGe on WER under ADM solution |
李蔚然 | 北京超弦存储器研究院 | |
| 16:40-16:55 | 口头报告 |
硅基纳米隧穿场效应晶体管的噪声表征 |
贾晓菲 | 西安电子科技大学 | |
| 16:55-17:10 | 口头报告 |
Study on the etching method to optimize the Polycrystalline silicon profile smoothing and interlayer uniformity in lateral cavity with high aspect ratio multilayer structures |
刘 阳 | 北京超弦存储器研究院 | |
| 17:10-17:25 | 口头报告 |
提升高K氧化物介电性能的通用策略及其在晶体管的应用 |
许望颖 | 集美大学 | |
| 17:25-17:40 | 口头报告 |
Research and fabricate of SiO2/SiN stacked structure with low hydrogen content and low stress |
张 鑫 | 北京超弦存储器研究院 |
主办：中国材料研究学会
中国材料大会2024
电话：010-68710443，E-mail: cmc_public@126.com
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